ZnO薄膜相关论文
在后摩尔时代,随着5G技术的成熟,物联网应用的发展进入了快车道,对支撑整个物联网系统的各类传感器也提出了更高的要求。如何实现......
在第三代太阳能电池中,染料敏化太阳能电池的产业化应用受限于自身缺陷,而随着量子点纳米材料的迅速发展,更具竞争优势的量子点敏......
采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结。在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜，并......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
声表面波（SAW,Surface Acoustic Wave）器件由于具有稳定性好、灵敏度高、多参数敏感等优点,广泛应用于各类传感器。随着物联网的发展......
第一代半导体材料（硅）和第二代半导体材料（砷化镓GaAs,磷化铟InP）由于禁带宽度较窄,已经不能适应半导体技术发展的要求。氧化锌（ZnO）和氮......
ZnO半导体材料具有光学、电学、磁学等性能,是制备多功能器件的理想材料。ZnO稳定p型的控制机制和室温铁磁性的产生机理是限制该材......
近年来,短波长LED器件因其在军事民用等领域展现的巨大应用潜力,吸引了研究人员极大的兴趣,已成为当今光电子领域的研究热点。半导......
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜, 研究了沉积过程中变换氧分压对薄膜光电性能的影响。采用XRD、紫外可见光分光光度计及AFM等方......
The piezoelectric film electro-deposition for optical fiber sensor with ZnO coating is studied. The zinc oxide plating f......
本文分析了ZnO薄膜的光声效应,推导了在一维条件下光声信号与压电系数、介电系数、热导、比热、调制频率之间的关系。实验表明光声......
The depolarization behavior of backscattered linearly polarized light from ZnO thin film was investigated experimentally......
采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）设备在LiGaO2（100）衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影......
采用直流反应磁控溅射的方法制备ZnO薄膜, 用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光谱仪(UV-Vis)分别表征ZnO薄膜的晶体结......
A ZnO thin film covered by TiO...
用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD)，光致发光(PL)谱，I-V曲线和光电响......
摘要 采用溶胶一凝胶法制备了ZnO薄膜，并通过光电流响应、EIS、SEM、XRD等分析方法对其光电化学性......
研究了ZnO薄膜脊状波导结构的光学特性，并通过在ZnO薄膜上覆盖MgO外延层方式，降低随机激光器的散射损耗。采用有限时域差分法（FDTD）数......
随着计算机技术的发展,光电产品对半导体材料的需求进一步的增长,半导体技术迅速发展到了以GaN和ZnO为主的第三代半导体材料,由于Z......
本文采用中频反应磁控溅射技术在柔性PET衬底上室温沉积了ZnO薄膜。通过改变溅射功率、氩氧流量比以及溅射时间等工艺参数,制备出......
薄膜材料的发展与应用正在人民生活的各个方面发挥着重要作用。目前,人们对薄膜材料的研究在宽禁带半导体薄膜方面发展比较突出。Z......
石墨烯的成功制备使二维材料研究产生了质的变化,石墨烯拥有超高的载流子迁移率和优良的光电性质和力学性质,使得研究人员加快了探......
振动能量收集器可以有效解决微功耗元件的供能问题,支持现代社会的可持续发展。然而目前很少有学者将振动能量收集器的关键元件聚......
作为纳米材料的重要组成部分,一维（1D）纳米材料因为其独特的一维结构受到了相当多的关注。一维纳米材料具有许多优点,例如大的表面-......
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙氧化物半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,由于本征缺陷存在而显n型。ZnO具有高室温激子结合能、高......
ZnO纳米材料因其独特的理化性质一直备受研究人员的关注,被广泛应用于发光二极管、激光管、传感器、透明电极、太阳能电池等光电器......
学位
氧化锌(ZnO)是一种独特的宽禁带半导体材料。ZnO具有高达60meV的激子结合能,300K下的Eg=3.37eV。由于ZnO具有多种优异的特性,使其......
十九世纪以来,有关拓展新能源的探索从未停止,社会有一种具有较高价值的功能性材料称为透明导电薄膜（Transparent Conductive Film）,......
氧化锌(Zinc Oxide,ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV。其激子束缚能为60meV,远高于GaAs半导体材料(～10meV),......
ZnO是一种性能优异的电子传输层(ETL)材料,能有效提高聚合物太阳能电池(PSC)器件的转换效率,同时也是最有希望实现卷对卷生产的ETL......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽禁带隙化合物半导体,因其价廉、环保和性能稳定,有望取代ITO和FTO应用于太阳能电池前电极器件上,有......
进入信息化时代后,集成电路已经成为信息技术与信息社会的基础产业。然而随着CMOS逻辑电路与存储器件工艺尺寸的不断缩小,已经逼近......
氧化锌(ZnO)作为性能优良的半导体材料,在场致发射装置、透明导电涂层、光致发光器件和染料敏化的电极太阳能电池等领域均有广泛的......
同位素电池和太阳能电池是近年来被广泛关注与研究的两种新能源电池。同位素电池是一种将同位素衰变能转换为电能的装置,因其具有......
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,热离化能为26 meV。在光催化、太阳能电池、传......
本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响......
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制......
2000年,Dietl等预言Mn掺杂ZnO具有室温磁性,从而引起人们对其研究的热潮.在Mn掺杂ZnO薄膜中又有文献报道共掺杂剂可以调节载流......
研究射频磁控溅射技术制备的CeO2掺杂ZnO薄膜的结构及紫外光吸收性能。结果显示,ZnO（002）晶面的晶面间距增大,由于晶格畸变的增加导......
ZnO是一种直接带隙宽禁带II-VI族化合物半导体材料，特别是掺杂的ZnO薄膜不仅具有类金属的导电性，而且对可见光表现出高透过率。由于Z......
氧化锌是一种重要的功能材料和新型的 II-VI 族宽禁带隙(3.37 eV)半导体材料。具有较大的激子束缚能(60 meV),可实现室温下的紫外......
ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具备优异的紫外发光条件,展现出在蓝光及紫外光......
ZnO是一种直接宽禁带半导体材料(△E=3．37eV)，在光电、压电器件以及紫外探测器等领域都有广泛的应用。通过对ZnO薄膜进行掺杂，可以显......
随着科技的飞速发展和人们生活节奏的不断加快，每年都产生大量的信息，其中有大量的有用信息需要存储起来，因而对存储器的要求越来越高......
采用磁控溅射仪,分别在硅和玻璃衬底上,制备纯ZnO薄膜及掺Mg浓度分别为0.05％、0.25％、0.5％、1.0％的ZnO/ZnMgO异质结薄膜.采用SEM、XRD......
石墨烯,拥有二维特殊原子分布规律的新型纳米碳材料,其光学、电学性能优良,在400 nm-800 nm透过率高,物理力学平稳,化学性能平稳,......
